深圳市铭锐达科技发展有限公司

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漏极电流:原厂标准 材料:N-FET硅N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 型号/规格:IRFP150NPBF 品牌/商标:IR/国际整流器 用途:L/功率放大 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 低频噪声系数:原厂标准 极间电容:原厂标准

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品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PC50UDPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:原厂标准(V) 夹断电压:原厂标准(V) 跨导:原厂标准(μS) 极间电容:原厂标准(pF) 低频噪声系数:原厂标准(dB) 漏极电流:原厂标准(mA) 耗散功率:原厂标准(mW)

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型号/规格:IRF9530NPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率

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型号/规格:IRF4905STRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率

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型号/规格:IRFR3410TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IR2104STRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IRF4905STRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装

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型号/规格:IR2103STRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IRFR3910TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率

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型号/规格:IRFR5410TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率

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型号/规格:IRFB4110PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:中功率

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型号/规格:IRF9540NSTRLPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IRFR4620PBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IRFR2407TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率

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型号/规格:IRFR5305TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

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型号/规格:IRFR1205TRPBF 品牌/商标:IR 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

供应原装30CPT100

品牌/商标:IR-VISHAY 型号/规格:30CPT100 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:100V(V) 漏极电流:30A(mA) 耗散功率:35(mW)

供应原装40CPQ060,40CPQ060PBf

品牌/商标:IR-VISHAY 型号/规格:40CPQ060 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:60V(V) 漏极电流:40A(mA) 耗散功率:25(mW)

63CPQ100,63CPQ100PBF

品牌/商标:IR-VISHAY 型号/规格:63CPQ100 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:100V(V) 漏极电流:63A(mA) 耗散功率:25(mW)